WNM4002-3/TR增强功能MOS场效应晶体管

WNM4002是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽
技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合用于小信号开关。标准产品WNM4002是无铅

特征
沟槽N通道
超高密度电池设计，适用于极低Rds（on）
出色的导通电阻和最大直流电流能力
采用SOT-523的小型封装设计
品牌：WILLSEM
型号；WNM4002-3/TR
封装：SOT523
包装：3000
年份：18+
数量：90000

绝对最大额定值
（TA = 25度
C除非另有说明）
热阻额定值（TA = 25度C除非另有说明）

符号参数评级单位
VDSS漏极 - 源极电压20 V.
VGSS栅极 - 源极电压聦6.0V
漏极电流 - 继续注1 0.3 A ID
漏极电流 脉冲（t <300us，占空比<2％）注1 0.6 A
PD功率消耗 - 注意1 0.25 W
TJ操作结温范围150 O.C
TSG存储温度范围-55~150 O. C
符号参数类型。最大。单元
RTJA热阻，与环境的连接–Note1 500 620 O. C / W