WNM4153 N沟道20V 0.88A 小信号MOSFET
说明
WNM4153是N通道增强功能MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽
技术和设计提供优秀的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合用于DC-DC转换应用。 标准产品
WNM4153是无铅的。
特征
FAE:13723714328
沟槽N通道
超高密度电池设计，极低RDS（ON）
出色的导通电阻和最大直流电压
目前的能力采用SOT-523的小型封装设计
应用
驱动器：继电器，螺线管，灯，锤
电源转换器电路
用于便携式设备的负载/电源切换
