三星S5PV210开发之外部存储器介绍和启动模式分析
内存： 内部存储器，用来运行程序的。 RAM(DRAM SRAM DDR)
外存： 外部存储器，用来存储东西的。 ROM(硬盘，flash,nand/inand,U盘,SSD)
cpu连接内存和外存的方式不同：
内存是cpu直接通过地址总线和数据总线访问的
好处是直接访问，随机访问，坏处是占用CPU的地址空间，大小受限。
外存是通过cpu的外存接口来实现的，好处是不占用地址总线，坏处是访问速度没
有访问内存快，访问时序复杂。
SOC常用的外部存储器
NorFlash 特点：接到SROM BANK,可以总线式访问，一般用来启动
NandFlash 特点：分为slc和mlc(容易坏块)
EMMC/iNand/MoviNand 特点：EMMC（embeded MMC）内部电路自动管理坏块
OneNand 特点：三星公司出的
SD/TF/EMMC/ 特点：都是SD卡
ESSD 特点：固态硬盘，内部电路自动管理坏块
启动模式分析：
内存：
SRAM 静态内存 特点是容量小，价格高，优点是不需要软件初始化，上电就可以使用
DRAM 动态内存 容量大，价格低，缺点就是上电后不能直接使用，软件初始化后才能使用
外存：
Norflash 容量小，价格高，能与CPU总线相连，上电后可以直接读取，用作启动介质
Nandflash 跟硬盘一样，容量大，价格低，缺点是不能总线访问，需要先初始化
嵌入式系统的启动方案：直接用外接大容量nand + 外接 DRAM + soc内部SRAM
实际上210的启动方式更复杂些，210内置了一块大小为96KB的SRAM(IRAM),同时还有一块
内置64KB大小的NorFlash(iROM)
下图为三星为V210SOC设计的启动方案：
1，IROM初始化系统时钟，启动设备
2，IROM可以加载Boot-loader到SRAM中，这部分boot-loader被称为BL1，IROM中的代码会校验BL1的完整性。
3，BL1在SRAM中被执行，并且将剩余的Boot-loader（BL2）加载到SRAM中，并且BL1代码会校验BL2代码的完整性。
4，BL2在SRAM中被执行，初始化外部DRAM，并加载OS到外部DRAM
5，最后跳转到OS地址处执行。
第一步：CPU上电后先从内部IROM中读取预先设置的代码，执行。这一段IROM做了一些
基本的初始化（CPU时钟，关看门狗），这一段IROM(BL0)是三星出厂前设置的，三星不知道客户
将来使用什么样的DRAM，所以这段IROM代码不能负责初始化外接DRAM，因此这段代码只能初
始化SOC内部的东西。然后这段代码还会判断我们选择的启动模式，然后从相应的外部存储器
读取第一部分启动代码(BL1,大小为16K)到SOC内部的SRAM中执行。
第二步：从SRAM去运行上一步读取到的启动代码(BL1)。BL1负责初始化NandFlash,然后将BL2
加载到IRAM，BL2初始化DRAM，然后将OS读取到DRAM中，启动过程结束。
思路：因为启动代码的大小是不固定的，有些公司可能96K就够了，有些可能1M都不够，所以
上面讲到的这个启动方式不太合适。
三星的解决方案是：把启动代码分为2部分(BL1)和(BL2)，两部分协同工作完成启动
BL1负责初始和NandFlash和加载BL2到SRAM,BL2负责初始化外部DRAM把OS加载到SDRAM中运行。
IROM内部启动所执行的流程如下：
1，关看门狗
2，初始化指令cache
3，初始化栈
4，初始化堆
5，初始化块复制函数
6，设置SOC时钟系统
7，辅助BL1(16kb)到内部SRAM
8，检查BL1的校验和
9，检查是否处于安全启动模式
10，跳转到BL1去执行
下面是三星V210启动流程图：
分析：上电后运行IROM中的程序->关看门狗，初始化Cache->判断是否处于休眠模式，是则直接跳转到后面加载OS，
否则->初始化SOC内部->读引脚电平选择启动模式->校验和，失败则选择Seconed启动,成功则->读取eFuse的值，判断
是否为安全启动，是安全启动的话再校验BL1是否完整，非安全启动直接跳转到BL1部分执行。BL1部分同样判断当前状
态是否是休眠，如果是则直接跳转到OS处，否则->加载BL2到SRAM，同样判断是否为安全启动，最后跳转到BL2部分，
BL2部分负责初始化DRAM，并且加载OS到DRAM中，最后跳转到DRAM中运行OS。
当第一启动失败后，就会尝试第二启动：
第一启动失败->从第二启动外设中加载BL1代码到SRAM->校验和,成功就直接执行BL1，否则->从UART启动，失败则从->USB
启动。