模电之半导体

半导体

本征半导体
本征激发（受温度影响很大出现空穴和*电子对）
复合
N型半导体（掺杂5价元素）
*电子是多数载流子，空穴是少子，不带电（电中性）
P型半导体（掺杂3价元素）
空穴是多数载流子，*电子是少子，不带电（电中性）
迁移率 *电子大于空穴（好理解因为*电子是移动的而空穴是被动移动的）
漂移运动（少子运动（本征激发产生所以受温度的影响大）内电场的作用）
扩散运动（多子运动浓度差的作用）

PN结

P的多子空穴和N的多子*电子向PN的接触面相互靠近
形成内电场（这个内电场呢是有N指向P 因为N是正离子 P是负离子）
内电场会阻碍扩散运动增强漂移运动
P+,N-（正向偏置）
外加的电源所带来的电流
1.增强了扩散运动（多子运动）故电流很大
2.减弱了漂移运动（少子运动），减弱了内电场，内电场的宽度减小
P-,N+（反向偏置）
外加的电源所带来的电流
1.增强了漂移运动（少子运动）故电流很小
2.减弱了漂移运动（少子运动），增强了内电场，内电场的宽度变小
雪崩击穿（漂移运动导致的）
齐纳击穿
硅和锗想比由于禁带宽度（硅比锗大故硅的热稳定性好）

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