集成电路基础知识-器件-MOS结构&VI特性

以反相器为例，+代表浓度较高，为了使PMOS和NMOS的衬底反偏，将P阱接GND，将N阱接Vdd。

 沟道夹断：进入饱和区
■当Vds更大时，靠近漏极的反型层开始出现夹断。

思考题：

■当MOS管的栅源电压Vgs低于阈值电压时MOS管会完全关断吗?

不会完全夹断，会工作在亚阈区，电阻斜坡式增加。

■耗尽层和反型层的区别是什么?

栅和衬底形成了电容，随着Vg的增大，栅极上出现很多正电荷，从而使得P型衬底上的空穴要远离栅极方向。留下负离子来镜像栅极上的正电荷—形成耗尽层。栅极氧化层和耗尽层均不导电，表现为两个电容串联。随着Vg的进一步增加，电势达到一个足够高的值后，将吸引电子到栅极氧化层下方，以镜像栅极上更多的正电荷。该电子是*电子，在栅极下方形成导电“沟道”。

■MOS管“夹断”后，为何还能导通?

沟道长度变短，意味着沟道电荷变为0，出现了一个很强的横向电场，可以让电子快速通过。