场效应管 - MOSFET
1. 简介
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), 中文名：金属氧化物半导体场效应晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。---wiki
2. 分类说明
根据其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型和空穴占多数的P沟道型。
N沟道场效应管用的比较多。
场效应管是压控器件，所以，控制侧消耗的电流极其小。
3. 逻辑
3.1 N 沟道场效应管
图形如下
导通情况：
- 当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）
- 当栅极G引脚接低电平，D极和S极之间的通路被阻断。
- 当栅极G引脚接高电平，D极和S极之间的通路导通。(G 高电平导通)
3.2 P沟道场效应管
图形如下
同样时
(G 低电平导通)
4. 使用过的场效应管简介
CSD13381F4
手机 或者 手持类 设备上使用过，1.8v的开关控制使用过，封装0402。
D-S间的最大可控制电压是12v，几个关键特性