看nand flash原理图

NAND Flash原理图: 
看nand flash原理图

由NAND Flash的原理图可以看出,做为一个存储芯片,只有I/O引脚,并没有地址引脚,怎么传地址?遵循一定的规范,先通过LDATA把地址传出去,再传数据。具体的需要查看芯片手册。 
看nand flash原理图 
看nand flash原理图 
由图可知:IO0-IO7:既可传送数据也可传送地址,也可以送传命令(是读还是写,还是擦除),怎么区分IO0-IO7传送的是数据?地址?命令? 需要通过CLE与ALE的状态来区分。 
假如2440要读取A地址的数据,或将数据写入B地址。当CLE为高电平表示IO0-IO7传送的是命令;当ALE为高电平表示IO0-IO7传送的是地址;当ALE与CLE都为低电平的时候,表示IO0-IO7传送的是数据。 
看nand flash原理图

CE:片选。当2440要操作访问Nand的时候,首先必须选中。 
RE:读信号,当RE为低的时候,表示数据由Nand流向2240; 
WE:写信号,当RE为低电的时候,表示数据由2240流向Nand; 
WP:写保护,只能写,不能擦除。 
R/B:Ready信号,表示Nand Flash烧写完成

这些引脚具体怎么组合起来的,需要查看手册中的时序图。

发(写)命令的时序图:

看nand flash原理图

看nand flash原理图 
首先CE发出片选信号,CLE发出高电平,IO 0-7将命令驱动出去,WE写脉冲,在写脉冲的上升沿,Nand flash在上升沿,将IO 0-7中数据读取出来。

发地址的时序图:

看nand flash原理图

看nand flash原理图

CE片选, ALE由低变高,IO 0-7驱动 数据,WE发出写脉冲。

输入(写)数据的时序图:

看nand flash原理图

看nand flash原理图

CE选中,ALE、CLE低电平,2440 IO 0-7驱动 数据,WE写信号,Nand flash根据ALE、CLE低电平,读取数据。

输出(读)数据的时序图: 
看nand flash原理图

看nand flash原理图

CE低电平选中,RE由高变为低(Nand flash收到RE由高变低时,马上准备数据,然后在RE的上升沿将数据发送出去),Nand flash 驱动数据到IO 0-7,在上升沿,2440取数据。

2440这些引脚发出的数据,必须满足Nand flash的时序要求。需要查看2440芯片手册,查看设备哪个寄存器的某些位来控制时序。

怎么设置时序: 
1,看2440手册,确定能设置哪些参数。 
2,看外设(如Nand flash)手册,确定取值 
3,计算