MTK 11AC high power项目技术经验总结

1、5G射频指标高信道差

1.1 问题描述:

此项目是在公版项目基础上改制,公版项目指标在5G全频段都是通过要求,信道指标平衡。但是,11AC模式下,TX高信道射频指标可达到的最大输出功率比公版项目低2.5dB,RX比公版差5dB。无法满足客户要求。(11AC模式指标达不到,11a指标也上不去18dBm),无法达到生产要求余量。对比数据如下。

TX数据(以上测试为开补偿):

Channel

Rate(Mbps)

对比数据

Criteria(EVM)

第一版

基础项目

Channel 42

80MHz(MCS9)

-32dBm

15.8

16.5

Channel 56

80MHz(MCS9)

-32dBm

17

17.5

Channel 64

80MHz(MCS9)

-32dBm

17

17.3

Channel 100

80MHz(MCS9)

-32dBm

16.7

16.8

Channel 120

80MHz(MCS9)

-32dBm

16.5

16.5

Channel 130

80MHz(MCS9)

-32dBm

16

16.8

Channel 140

80MHz(MCS9)

-32dBm

15.8

16.5

Channel 149

80MHz(MCS9)

-32dBm

15.3

16.5

Channel 151

80MHz(MCS9)

-32dBm

15

16.7

Channel 157

80MHz(MCS9)

-32dBm

14.5

16.7

Channel 161

80MHz(MCS9)

-32dBm

14.3

16.8

RX数据:

Channel

Rate(Mbps)

对比数据

RX接收灵敏度

第一版

基础项目

Channel 42

80MHz(MCS9)

-51dBm

-60

-62

Channel 56

80MHz(MCS9)

-51dBm

-59

-62

Channel 64

80MHz(MCS9)

-51dBm

-59

-62

Channel 100

80MHz(MCS9)

-51dBm

-59

-62

Channel 120

80MHz(MCS9)

-51dBm

-58

-62

Channel 130

80MHz(MCS9)

-51dBm

-58

-62

Channel 140

80MHz(MCS9)

-51dBm

-58

-61

Channel 149

80MHz(MCS9)

-51dBm

-57

-61

Channel 151

80MHz(MCS9)

-51dBm

-57

-61

Channel 157

80MHz(MCS9)

-51dBm

-57

-61

Channel 161

80MHz(MCS9)

-51dBm

-56

-61

1.2 可能产生原因:

1、FEM 4591的前后阻抗没有匹配到预计的位置。

2、PCB的阻抗距离偏差的50Ω较大。

3、上件器件是否完全一致。

可能3分析:首先应该排查第三种可能,保证硬件器件上件齐全,不存在漏焊是前提。特别是4591前后器件对高频信号的影响是很大的。对比后排除此种可能。

可能1分析:PCB已经定型,先通过调整4591的匹配,看是否能将指标调整到要求范围内。与RFMD的原厂沟通得知,4591的调试需要将阻抗和相位调整到第二象限才是最好的理想状态。

第一版初始匹配:

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调试优化较好匹配:

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根据优化4591的输出端的匹配调整接近理想的位置后测试。测试高信道的指标,11AC模式,TX指标高信道输出最高功率为14.8dBm(11a达不到客户要求的18dBm),RX优化1.5dB。调试效果不明显。并且,依然达不到生产的要求。因此,需要深入分析PCB阻抗。

可能2分析:排查PCB布局布线的合理性。

与公版项目对比发现,主要的layout差异。

差异(1)4591芯片的铺地和滤波

第一版4591芯片的layout(异常):

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第二版优化layout设计(指标正常):

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差异(2):5G天线焊接点的挖层大小和参考层选择

第一版挖空大小(2、3层挖空、底层为地参考)

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第二版优化后挖空(2层挖空、3层为地参考)

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差异(1)分析:

根据微带线阻抗的近似计算公式为:

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根据上式的计算可知,PCB走线在板材Er和叠层固定的情况下,主要决定于走线宽度w和走线到参考平面的距离h。在4591中心接地PAD铺铜和打过孔两种情况,铺铜不仅能使整个芯片的地平面更加完整,特别是对TX、RX信号两边地完整有更好参考,阻抗能够好的匹配到芯片内部的50欧姆。在PA_Enable和Vdet管脚增加滤波对EVM也有一定的作用。

差异2分析:挖空大小尺寸不变,参考层也不变。但是,公版的PCB板厚是1.0mm,而,这个项目板厚变成1.6mm。板厚改变带来什么参数改变?

针对天线焊接点的参考层不同,参考层的改变特别是这个焊盘的寄生电容影响是很大,因此,会影响5G高频信号的阻抗。5G天线焊接点参考层的选择,关系到信号是阻抗连续性的问题。

5G焊接点与信号走线可看为微带线截断端,可以等效为一个与参考地的电容负载,因为一段很短的理想开路线可以等效为一个电容,因此,这里的电容负载也可以等效为一小段理想的开路线。等效电容负载可以近似为以下模型。

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这里的寄生电容计算近似为:

MTK 11AC high power项目技术经验总结Ci为介质系数。

得出,寄生电容大小决定于导线的宽度w和介质板厚h以及介质板的介电常数Er。

其实,这里挖空的天线焊接点也可以近似看为一个过孔。PCB过孔本身存在着寄生电容,假如则PCB过孔的寄生电容数值近似为:C=1.41εTD1/(D2-D1)。PCB过孔在铺地层上的阻焊区直径为D2,PCB过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,基板材介电常数为ε。PCB过孔的寄生电容会给电路造成的主要影响是延长了信号的上升时间,降低了电路的速度尤其在高频电路中影响更为严重。天线焊接端的参考层选择和挖层大小的会直接导致这个pad的寄生电容的大小(也即是阻抗的不连续性)。而电容器本身的频率效应可知:MTK 11AC high power项目技术经验总结频率响应曲线:

MTK 11AC high power项目技术经验总结 

因此,在5G焊接点产生的寄生电容要求越小越好,此时寄生的容性或感性减弱。这里根据实际layout布线和叠层,使用HSFF仿真建立焊接点的模型调整参考层和挖空窗口大小,使得调整S11和S21指标为最好的值即可。

1.3 解决:

由于叠层的改变,选择第三层为参考地,第二层的挖空面积与信号层pad同宽,5G射频指标保持整个频段的平衡,满足生产要求。