STM32F1内部FLASH组成和访问
闪存存储器由主存储块、信息块、闪存存储器接口寄存器组成：
1、主存储器：
- 用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。起始地址是 0X08000000， B0,B1都接GND的时候就是从0x08000000开始运行代码的。
2、信息块：
- 系统存储器，用于存储 ST 自带的启动程序，串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND时，运行的就是这部分代码。
- 选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
3、闪存存储器接口寄存器：
- 该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
启动模式和区域：
- 从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000000或0x0800 0000。
- 从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
- 从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
─ 主存储块容量：
- 小容量产品主存储块最大为4K×64位，每个存储块划分为32个1K字节的页(见表2)。
- 中容量产品主存储块最大为16K×64位，每个存储块划分为128个1K字节的页(见表3)。
- 大容量产品主存储块最大为64K×64位，每个存储块划分为256个2K字节的页(见表4)。
- 互联型产品主存储块最大为32K×64位，每个存储块划分为128个2K字节的页(见表5)。
─ 信息块容量：
互联型产品有2360×64位(见表5)。其它产品有258×64位(见表2 30/754 、表3、表4)。
─闪存存储器接口的特性为：
● 带预取缓冲器的读接口(每字为2×64位)● 选择字节加载器● 闪存编程/擦除操作● 访问/写保护
─编程和擦除闪存：
- 闪存编程一次可以写入16位(半字)。
- 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除)。全擦除不影响信息块。
- 为了确保不发生过度编程， 闪存编程和擦除控制器块是由一个固定的时钟控制的。
- 写操作(编程或擦除)结束时可以触发中断。仅当闪存控制器接口时钟开启时，此中断可以用来从WFI模式退出。