Nand Flash基础
存储结构:
NAND Flash由block块构成,block的基本单元是page页。
每一个block由多个page组成,每一个page内包含Data area(数据存储区)和扩展的Spare area(备用区)。所以每一个page的大小为Data area+Spare area。
块:Nandflash 擦除操作的最小单位
页:Nandflash 写入操作的最小单位
存储单元:
写入:即控制栅极去充电,对栅极加压,使得浮置栅极存储的电荷越多,超过阈值,就表示0
擦除:即对浮置栅极进行放电,低于阈值,就表示1
SLC、MLC、TLC:
SLC(single-level cell):单介质存储单元
每一个存储单元存储1bit的数据,存储的数据是:0,1
MLC(Multi-level cell):多阶存储单元
每一个存储单元存储2bit的数据,存储的数据是:00,01,10,11
TLC (Triple-Level Cell ):每一个存储单元存储3bit的数据
存储的数据分成八种: 000、001、010、011、100、101、110、111
Nand Flash布线:
DAT0~DAT7:
CE:Chip enable
WE:Write enable
RE:Read enable
CLE:Command latch enable
ALE:Address latch enable
WP:Write protect
BY / RY:Ready/Busy
Vcc:Power supply
Vss:Ground
Nand Flash内部框图:
当ALE是高电平时,传输的是地址
当CLE是高电平时,传输的是命令
当ALE和CLE都为低电平的时候传输的是数据
BY / RY是高电平表示完成编程,是低电平表示正忙,编程尚未结束
操作时序:
发出命令,发出地址,读写数据