双端口RAM和多模块存储器

存储系统

采用双端口存储器和多模块存储器目的是为了提高存储器的工作速度
而存储周期是衡量存储器的工作速度

存储周期

双端口RAM

采用的是双CPU
两个端口对同一主存操作的操作:
1.两个端口不同时对同一地址存取数据
2.两个端口对同一地址单元读出数据
3.两个端口对同一地址单元写入数据
4.两个端口对同一地址单元一个写入一个读出数据

第一个和第二个操作不会错误
第三个操作会造成写错误
第四个操作可能会造成读入错误

解决方法为加入一个控制信号:忙信号
如果发生冲突的话,启动忙信号然后决定先后的顺序
这种解决方法开销比较大,但是对于专用的场景比较有用。

多模块存储器

1.单体多字存储器
必须连续的存储
2.多体并行存储器
不用连续的存储

多体并行存储器的模式
1.低位交叉编址的模式

目的可以起到扩容的效果

2.高位交叉编址的模式

τ
T+(n-1)τ
涉及到流水线的概念
这里可以补充的是如果总线带宽为mW时,可以同时取出长度为mW的数据那么可以当做单体多字的运行模式。
如果没有mW的话,可以利用硬件的一些控制逻辑也可以当做单体多字的运行模式。

流水线:
1.微观题(计算题)

这里的m必须是大于等于T/τ
原因为如果不是大于等于T/τ的话会使机器混乱
如果是等于的话就刚好
如果是大于的话那么机器会有一段等待的时间,也可以接受

这里的带宽的计算公式:

nxW/T+(n-1)τ
如果是n比较大的话为极限值的话就为W/τ

2.宏观题(概念题)

不会出计算的题目只会是概念上的题目