这个功能属于比较偏的功能，一般情况下很难使用到，加上JEDEC标准仅有三言两语的描述，所以理解起来就比较费劲。所以我在网上搜索了一篇相关的博客，算是有个更加透彻的理解了。
此文章来自于

TDQS概述：

我们能在任何一个内存条的datasheet上看到TDQS/TDQS#的描述：
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are
no function.

2 TDQS/TDQS#功能：

DDR3中，加入了TDQS/TDQS#的功能，其引脚与DM复用。通过MR1寄存器进行功能的选通（仅在x8的颗粒上使用；x4与x16的颗粒需要关闭该功能）：

该功能简化了，x4与x8-RDIMMs混合使用的存储器控制系统的设计。x8的内存条中每8bits需要一对DQS、x4的内存条中每4bits需要一对DQS.在x4与x8混合使用的系统中，DQS信号的负载不同，而该不同会产生SI问题。
需要注意的是：在DDR3中，TDQS/TDQS#仅提供端接的功能。

3 举例说明：

图示中可以看出，第二对DQS信号线在x8的devices上并没有使用。它被连接到x8devices的TDQS信号线上。TDQS功能启用时，保证了数据选通信号线的负载均衡性，由于存在端接，并不会产生信号质量问题。
但x8devices的TDQS被关闭时，第二对DQS信号线便会有很长的stub，这对于高速信号来说将会是致命的。