1.3.3SDRAM的设置

2440的CPU通过内存控制器与外部的SDRAM相连，开发板上外接有64MB的SDRAM。

有关SDRAM的详细介绍，可以参考《高手进阶 终极内存技术指南-完整进阶版》，附链接https://max.book118.com/html/2017/1224/145792037.shtm

SDRAM的结构和Flash不同，操作Flash时只需要给定一个地址即可，但是操作SDRAM需要三个地址，分别是快地址，行地址，还有列地址。

使用SDRAM，我们只需要设置内存控制器即可，当我们读SDRAM的数据时，内存控制器会：

1. 判断范围：根据电路图可以看出，SDRAM接到2440的第六块，起始地址为0x3000,0000；
2. 根据类型（SDRAM）拆分地址为块地址，行地址，列地址；（这里需要设置行地址和列地址分别几条线）
3. 读数据。

下面是2440需要设置的相关的寄存器。

1.BWSCON，设置外接SDRAM的位宽和等待状态的寄存器。2440外接两个16位的SDRAM，所以DW6设置为10，如果外接的内存类芯片速度很慢，在发出相关时序之后还是不能读取数据，这时候就可以发出WAIT信号，等待一段时间后再去读取数据，根据电路图，并没有外接WAIT信号，所以WS6设置为0，ST6是用于SRAM，我们外接的是SDRAM，故不使用UB/LB，nWBE的意思写某个字节的时候，是否真正写进去，我们的内存是32位的，如果只想去修改其中的某个字节，这个时候就需要用到这个引脚来帮助我们确定具体要写入哪个字节。同理，nBE就是确定想要读哪个字节 。这里我们使用了nWBE但不用nBE，这是由于我们设置的内存类设置为32位，这样每次都会读进来4字节，然后内存控制器会挑出我们要的字节，所以不用设置。一般来说，我们把BANK7设置和BANK6一样，所以这个寄存器设为0x2200,0000。


2.BANKCONn，块控制器，MT设置为11，选择SDRAM控制器，SCAN为列地址的线数，根据芯片手册为9位，设为01，Trcd表示发出行地址后多久可以发出列地址，设置为20ns，所以BANKCON6,BANKCON7寄存器设置为0x18001。



4.REFRESH，SDRAM刷新控制寄存器，SDRAM和DRAM一样，使用时需要动态刷新，所以要使能刷新，设置为自动刷新模式，刷新的周期需要根据芯片手册设定，64 / 8192 = 7.8us，表示7.8us刷新1行。我们的HCLK也为100MHz，所以设为1269 = 0x4F5。

Trp意思为SDRAM行预充电时间，具体功能不熟悉，但是根据芯片手册可以设为20ns，也就是2个周期。

搜索Tsrc找不到结果，根据公式Trc=Tsrc+Trp尝试搜索Trc，意思还是不清楚，但是值可以设置为70ns，所以Tsrc = Trc - Trp = 50ns，所以Tsrc设置为01，所以REFRESH设置为0x8404f5。

5.BANKSIZE，首先，BK76MAP设置为001，因为外接的是64MB。然后，burst operation表示是否可以连续访问，即一次访问多个字节 ，设为1，低功耗模式使能设为1，SCLK_EN根据推荐值设为1，所以BANKSIZE = 0xb1。

6.MRSRBn，除了CL外，其他只能选择固定值。**内存控制器读SDRAM时，发出块地址，然后行地址，然后列地址，发完之后它并不能像SRAM那样马上读取数据而是需要等待一定的时钟周期之后，才能读取数据。芯片手册描述如下，可以设置为2或3个时钟周期。这里我们设置为2个clock。需要注意的是，这个值设定之后是会发给SDRAM的，SDRAM的mode register（含有CL）会保存这个值，它以后就会在收到列地址之后，过两个时钟周期才返回数据。**所以MRSRB6，MRSRB7设置为0x20。

综上，2440中SDRAM的初始化设置完毕，然后可以试验一下SDRAM是否可以正常使用。测试代码如下图。