SDR SDRAM芯片手册时序讲解
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下面是对IS42S16320D芯片手册中部分时序进行适当的介绍和分析，绘制的时序图仅供参考。
1、SDRAM初始化时序
初始化流程如下：
- 在复位结束、有时钟clk信号开始后，计时T1、即经历100us后，发送nop命令码；
- 所有bank预充电。在T1的下一个clk上升沿来临时，发送Precharge命令码，Sdr_a[10]=1拉高。这个时钟上升沿为T2。
- 第一次自动预充电。在T2之后，计时TRP的时间长度。在T3=T2+TRP到来时，发送REF命令码，执行第一次自动预充电。TRP最小是15ns，如果是100M时钟的话，TRP取两个clk周期即可。
- 第二次自动预充电。在T3之后，计时TRC，也即TRFC的时间长度。在T4=T3+TRFC到来时，发送REF命令码，执行第二次自动预充电。TRFC取个最大的下限是66ns，如果是100M时钟的话，TRFC取7个clk周期即可。
- 模式寄存器装入命令。在T4之后，计时TRC，也即TRFC的时间长度。在T5=T4+TRFC到来时，发送LMR命令码,即load mode register指令码，同时发送Sdr_a[12:0]=13'b0_0000_0010_0000，和Sdr_ba=0,即选择bank0，,执行第二次自动预充电。TRFC取个最大的下限是66ns，如果是100M时钟的话，TRFC取7个clk周期即可。
- 输出初始化完成标志。 在T5之后，计时TRMD的时间长度。在T6=T5+TRMD到来时，发送初始化完成标志init_done。TRMD取个最大的下限是14ns，如果是100M时钟的话，TRMD取2个clk周期即可。
2、SDRAM刷新时序
下图是芯片手册的图例，下图中第一个指令Precharge，其作用是关闭当前行/所有行，即是在当前行/所有行关闭的情况下，才能执行刷新AutoRefresh操作。若每次读写结束就执行Precharge操作，则在进行刷新AutoRefresh操作时，是不需要在开始的时候发Precharge指令。
执行一次刷新时序：
连续执行刷新时序：
3、SDRAM读写时序
下图是SDRAM写时序
下图是SDRAM读时序，潜伏期是2
上图中，BEF_WDEND需要比缓存RAM的写满标志WDEND_RAM提前几拍，用于状态机及时跳出读状态。
4、基础的状态机状态转移图设计