BR1001应用电路图及注意事项
注意：
1、晶振要使用10PPM精度。
2、32768的晶振匹配电容，如果不贴，需要在程序中设置匹配电容参数。并且选用的晶振匹配电容选用12.5pF及以下。程序设置函数为pmu_xtal32k_change_param(15,1);//函数输入参数根据选用晶振匹配电容参数而定。
3、24M晶振内部缺省为11.25pF的匹配电容，可以通过设置函数pmu_xtal24m_change_param(15)来设置，函数输入参数根据选用晶振匹配电容参数而定。
注意：
1、晶振要使用10PPM精度。
2、32768的晶振匹配电容，如果不贴，需要在程序中设置匹配电容参数。并且选用的晶振匹配电容选用12.5pF及以下。程序设置函数为pmu_xtal32k_change_param(15,1);//函数输入参数根据选用晶振匹配电容参数而定。
3、24M晶振内部缺省为11.25pF的匹配电容，可以通过设置函数pmu_xtal24m_change_param(15)来设置，函数输入参数根据选用晶振匹配电容参数而定。