机组笔记(第四章 1)
- 概述
- 存储器分类
- 按存储介质分类
- 半导体存储器 TTL MOS 易失
- 磁表面存储器 磁头 载磁体 非易失
- 磁芯存储器 硬磁材料、环状元件 非易失
- 光盘存储器 激光、磁光材料 非易失
- 按存取方式分类
- 存取时间与物理地址有关(随机访问)
- 随机存储器 在程序的执行过程中 可 读 可 写
- 只读存储器 在程序的执行过程中只读
- 存取时间与物理地址有关(串行访问)
- 顺序存取存储器 磁带
- 直接存取存储器 磁盘
- 存取时间与物理地址有关(随机访问)
- 按在计算机中的作用分类
- 高速缓冲存储器(cache)
- 主存储器
- ram(读写) 静态,动态
- rom (只读) mrom,prom, eprom, eeprom
- falsh memory u盘 ,ssd
- 辅助存储器 磁盘,磁带,光盘
- 按存储介质分类
- 层次结构
- 为了能够达到容量,速度,价格的最优,采用多层结构
- 缓存-主存层次和主存-和辅存层次
- 缓存-主存层次解决速度问题,主存-辅存解决容量问题
- 缓存-主存层次是通过硬件向程序员封装,主存-辅存结构是通过软硬件向程序员封装
- 在程序员看来是一个整体
- 缓存-主存层次和主存-和辅存层次
- 为了能够达到容量,速度,价格的最优,采用多层结构
- 存储器分类
- 主存储器
- 概述
- 基本组成
- 主存与cpu的联系
- 主存中存储单元地址的分配
- 主存的技术指标
- 存储容量 主存 存放二进制码的总位数
- 存储速度
- 存取时间: 存储器的访问时间 (读出时间,写入时间)
- 存取周期 连续两次独立的存储器操作(读或写)所需的最小间隔时间(读周期,写周期)
- 一般 存储周期 要长于 存取时间
- 存储器的带宽 位/秒
- 主存储器--半导体芯片简介
- 半导体存储芯片的基本结构
- 半导体存储芯片的译码驱动方式
- 线选法 译码后的字线会非常庞大
- 重合法
- 随机存取存储器(RAM)
- 静态ram(sram)
- 静态ram基本电路
- inter 2114 RAM(64 * 64)
- 动态RAM(DRAM) 用电容保存信息。行地址,列地址分别传输,地址线是总位数的一半
- 保存0 1的原理是什么,动态ram的基本单元 ,读出的信息和原存的信息是相反的,写入与输入信息相同
- 三管动态ram芯片(inter 1103)
- 动态ram的刷新(一行一行刷新)
- 集中刷新:在某个时间段内全部刷新(存取周期0.5us)有死区
- 分散刷新:存取周期1us,0.5读写,0.5刷新,无死区,不过刷新过度
- 异步刷新(分散刷新和集中刷新相结合):每2ms/128 刷新一次,局部看集中刷新,整体看分散刷新,如果将刷新安排在指令译码阶段,不会出现死区
- 动态ram和静态ram比较
DRAM SRAM 存储原理 电容 触发器 集成度 高 低 芯片引脚 少 多 功耗 小 大 价格 低 高 速度 慢 快 刷新 是 无 用途 主存 缓存
- 静态ram(sram)
- 概述