学习笔记——计算机组成原理第三章半导体存储器

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一、存储芯片的基本结构

• 存储矩阵：大量存储单位组成的列阵
• 译码驱动：把地址信号翻译成选择的存储单元的位置
• 读写电路；用来完成读/写操作
• 片选线：$\overline{CS}、\overline{CE}$CS、CE，选择芯片，带上划线是低电平有效
• 读写控制线：一根线的话$\overline{WE}$WE(低电平写，高电平读)
          两根线的话$\overline{OE}$OE允许读
                  $\overline{WE}$WE允许写

地址线（单向）	数据线（双向）	芯片容量
10	4	$1K*4位=2^{10}*4$1K∗4位=210∗4
16	1	$8K*1位=2^{16}*1$8K∗1位=216∗1

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二、SRAM、DRAM的工作原理

1.DRAM的刷新

  因为通过电容保存、电荷只能持续1到2ms，防止信息丢失就要刷新

• 刷新周期一般为2ms
• 使用行列线是因为用二维方式寻址能大大减少选通线数量
  比如8位，如果一维要$2^8$28根选通线
  如果二维只要$2^4+2^4$24+24根选通线

  问题1：如何刷新，每次刷新多少存储单元？

• 以行为单位、每次刷新一行，有硬件支持，读出一行信息后重新写入，占用一个读/写周期

  问题2：什么时刻刷新

• ①分散刷新
  每读写完都刷新一次，也就是系统存取周期变为1us
  前0.5us用于正常读写
  后0.5us用于刷新某行
• ②集中刷新
  2ms内集中安排时间全部刷新
  刷新的那段时间无法访问存储器，称为访存死区
• ③异步刷新
  计算好要刷新的行数，刷新的时间平均分配到每个部分

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