WPT2F42-6/TR PNP双极功率晶体管WILLSEM

WPT2F42-6/TR
WPT2F42-6 / TR单,PNP,-30V,-3A,功率晶体管

说明

WPT2F42是PNP双极功率晶体管饱和电压很低。这个设备是
适用于充电电路和其他电源管理。标准产品WPT2F42是无铅和无卤素。
WPT2F42-6/TR PNP双极功率晶体管WILLSEM

特征

超低集电极 - 发射极饱和电压
高直流电流增益> 100
3A继续集电极电流
小包装SOT-23-6L。

应用

充电电路
电源调节器
便携式其他电源管理
WPT2F42-6/TR PNP双极功率晶体管WILLSEM

绝对最大额定值

电子特性(Ta = 25o
C,除非另有说明)
参数符号值单位
集电极 - 发射极电压VCEO -30 V.
集电极电压VCBO -30 V.
发射极电压VEBO -6 V.
继续集电极电流IC -3 A.
脉冲集电极电流ICM -6 A.
功耗@ 25o C PD 2 W.
结温TJ 150°C
WPT2F42-6/TR PNP双极功率晶体管WILLSEM
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C
参数符号测试条件最小值典型。最大。单元
集电极 - 发射极击穿电压BVCEO IC = -10mA,IB = 0mA -30V
集电极击穿电压BVCBO IC = -1mA,IE = 0mA -30V
发射极基极击穿电压BVEBO IE = -100uA,IC = 0mA -6V
集电极截止电流ICBO VCB = -30V -100 nA
发射极截止电流IEBO VEB = -5V -100 nA
集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat)IC = -2.0A,IB = -200mA-0.5V
基极 - 发射极饱和电压VBE(sat)IC = -2.0A,IB = -200mA -1.0-1.5V
基极 - 发射极正向电压VBE(on)IC = -0.5A,VCE = -2V -0.7 -1.0V
直流电流增益hFE IC = -1.0A,VCE = -2V 100 300
WPT2F42-6/TR PNP双极功率晶体管WILLSEM