DIBL效应小结
最近学习到MOS的DIBL效应，暂时不了解含义。
自我感觉对于IC行业的小MOS才会涉及到，在功率VDMOS(尤其以SiC为材料)应该是不用考虑的。
在上文中也提到了源漏区越来越接近，说明这是在LDMOS中出现的情况，对于功率VDMOS漂移区厚，且在垂直方向，故DIBL效应可以忽略。
为了缩小MOS的体积才会考虑DIBL效应， 对于功率器件动辄就超过10μm的漂移区而言，忽略不计。
最近学习到MOS的DIBL效应，暂时不了解含义。
自我感觉对于IC行业的小MOS才会涉及到，在功率VDMOS(尤其以SiC为材料)应该是不用考虑的。
在上文中也提到了源漏区越来越接近，说明这是在LDMOS中出现的情况，对于功率VDMOS漂移区厚，且在垂直方向，故DIBL效应可以忽略。
为了缩小MOS的体积才会考虑DIBL效应， 对于功率器件动辄就超过10μm的漂移区而言，忽略不计。