海力士推全球首款72层3D NAND闪存:读写速度增20%
韩国海力士公司目前宣布推出全球堆栈层数最多的72层3D NAND，容量为256Gb，仍为TLC。
据了解，相比于之前推出的48层3D NAND芯片，72层芯片将单元数量提升了1.5倍，生产效率增加30%。同时，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了之前的2倍，读写性能增20%。
海力士表示，72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产，以满足高性能固态硬盘和智能手机等设备的需求。
本文转自d1net（转载）
韩国海力士公司目前宣布推出全球堆栈层数最多的72层3D NAND，容量为256Gb，仍为TLC。
据了解，相比于之前推出的48层3D NAND芯片，72层芯片将单元数量提升了1.5倍，生产效率增加30%。同时，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了之前的2倍，读写性能增20%。
海力士表示，72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产，以满足高性能固态硬盘和智能手机等设备的需求。
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