ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容

ESD9X5VU-2/TR
ESD9X5VU
1线,单向,超低电容
瞬态电压抑制器
ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容

说明

ESD9X5VU是一个单向瞬态电压抑制器(TVS)提供非常高水平的保护
适用于可能受到影响的敏感电子元件静电放电(ESD)。它旨在取代
消费类设备中的多层压敏电阻(MLV)手机,笔记本,PAD,STB等应用液晶电视等。
ESD9X5VU采用一对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。
ESD9X5VU可用于提供ESD保护根据±20kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-2,可承受高达4A的峰值脉冲电流根据IEC61000-4-5,8 /20μs脉冲。
ESD9X5VU采用FBP-02C封装。标准产品不含铅,不含卤素。
ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容

特征

隔离电压:最大5V
根据每条线路的瞬态保护
IEC61000-4-2(ESD):±20kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5 / 50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):4A(8 /20μs)
超低电容:CJ = 0.5pF(典型值)。
超低漏电流:IR <1nA(典型值)。
低钳位电压:VCL = 18V(典型值)。 @ IPP = 16A(TLP)
固态硅技术
ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容

应用

USB 2.0和USB 3.0
HDMI 1.3和HDMI 1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品和笔记本
ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容

绝对最大额定值

电气特性(TA = 25 oC,除非另有说明)
笔记:
1)TLP参数:Z0 =50Ω,tp = 100ns,tr = 2ns,平均窗口从60ns到80ns。 RDYN的计算方法是从4A到16A。
2)根据IEC61000-4-5的非重复电流脉冲。
参数符号评级单位
峰值脉冲功率(tp = 8 /20μs)Ppk 60 W.
峰值脉冲电流(tp = 8 /20μs)IPP 4 A.
ESD符合IEC61000-4-2空气放电
VESD±20kV
ESD符合IEC61000-4-2接触放电±20
结温TJ 125 oC
工作温度TOP -40~85 oC
引线温度TL 260 oC
储存温度TSTG -55~150 oC
参数符号条件最小值典型。最大。单元
ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容
反向隔离电压VRWM 5.0 V.
反向漏电流IR VRWM = 5V <1 100 nA
反向击穿电压VBR IBR = 1mA 7.0 8.0 9.0 V.
正向电压VF IF = 10mA 0.6 0.9 1.2 V.
钳位电压1)VCL IPP = 16A,tp = 100ns 18.0 V.
动态电阻1)RDYN0.57Ω
钳位电压2)VCL
IPP = 1A,tp = 8 /20μs11V
IPP = 4A,tp = 8 /20μs15V.
结电容CJ VR = 0V,f = 1MHz 0.50 0.90pF