第五讲、双极性晶体管
第一节、晶体管的结构和工作原理
1、 晶体管,是一种把输入电流进行放大的半导体元器件
2、 两种类型:b-base,e-emieter,c-collcctor
三个极,三个区,两个结
第二节、晶体管的放大原理
1、 以NPN为例
表面上看NPN三极管似乎就是两个二极管反接形成的,实际上,我们对电路分析就可以发现,如果用两个二极管连接是无法实现放大功能的。所以晶体管的放大是有一定条件的。
2、 晶体管的内部条件
a、B基极中的P中,掺杂浓度低,多子空穴少,主要作用传送,控制载流子。
b、E发射区中的N中,掺杂浓度高,*电子浓度高,主要发射载流子。
c、C集电极中N中,面积最大,主要收集载流子。
3、 外部条件
4、 内部载流子运动规律和参数定义
a、运动规律
b、参数定义
称为共基极直流电流放大系数,小于1而接近1
称为共发射极直流电流放大系数。
重要结论
1、外部条件: 发射结正偏,集电结反偏。
2、电流分配关系
a、
b、,
c、,,
3、小电流撬动大电流。
4、电流放大系数只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关,与外加电压无关。
第三讲、晶体管的伏安特性
1、晶体管的伏安特性: 管子各电极电压与电流的关系曲线,是管子内部载流子运动的外部表现,反反映了晶体管的性能。
a、输入特性曲线
对与小功率晶体管, 大于1V的一条输入特性曲线可以取代所有 大于1V的输入特性曲线
b、输出特性曲线
第四讲、晶体管工作区
1、 放大区
条件:发射结正偏,集电结反偏
也称为恒流区:,
2、 截止区
条件:发射结与集电结都反偏
一下区域为截止区,有
3 饱和区
条件:发射结与集电结都正偏
,,
4、 典型值
5、 晶体管工作状态判定