台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题

台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题。

台积电：第一代官宣2nm制程，领先于研发进度。

据台湾经济日报报道，台积电在2nm工艺上有重大突破，研发进度领先，业界预计2023年下半年将实现90%的风险试产良率。
台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题

与3nm和5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)结构不同的是，台积电2nm采用了全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)结构，据台媒称，这一研发进展领先。

据悉，台积电去年成立了一个2纳米项目研发团队，寻求一条可行的发展道路。

台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题。

从成本、设备兼容性、技术成熟度和性能表现等方面考虑，2nm采用MBCFET结构，以环绕闸极(GAA)制程为基础，解决了FinFET由于制程缩小所造成的漏电电流控制问题。

超级紫外微显影(EUV)技术的推广应用，使台积电多年来研究开发的纳米片堆叠关键技术日趋成熟，提高良率的工作也比预期进展顺利。

台积电此前透露，研发生产2nm晶圆的计划在新竹宝山，计划建设4个P1至P4晶圆厂，占地面积逾90公顷。

现在台积电5nm已经量产，3nm有望在2022年量产，2nm的研发突破了！

台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题。

FinFET的第二个替代者出现，GAA技术延续了摩尔定律。

按照摩尔定律，每18~24个月，集成电路中的元件数量翻一番，芯片的性能翻一番。

但是，直到今天，摩尔定律减缓甚至失效，世界上仍有几家大型半导体企业拼命「争抢」，希望在工艺布局上占据领先地位。

从2012年起，FinFet已经发展到20mm和14nm节点。

另外，依托FinEFT技术，工艺节点制程已经发展到7nm,5nm甚至3nm，芯片都遇到了瓶颈。

全包围栅是FinFET技术的发展，沟道是由纳米线组成，其四面被栅极包围，所以再次加强了栅极对沟道的控制，有效地减少了泄漏。

与目前7nm工艺相比，3nm工艺的具体指标表现为：可降低核心面积45%，耗电50%，性能提高35%。

台积电2nm采用了GAA(GAFET)，即GAFET，这与FinFETs的概念是一样的，不同之处是GAA的栅极将沟道四面包起来，源极和漏极不再与基底接触。

目前，主流的四种技术分别是纳米线、片状结构的多路面板、六角形截面的纳米线、纳米环。

三星向外界介绍的GAA技术是Multi-BridgeChannelFET，一种类似于薄片结构的多桥接鳍片。

台积电也采用MBCFET架构。台积电总裁魏哲家在玉山科技协会晚宴上透露，每走上一代，客户的速度效能都会提升30%-40%，功耗也会降低20%-30%。

虽然GAA可以降低性能和功耗，但是它的成本非常高。据国际商业咨询公司(IBS)称，芯片价格在28纳米后迅速上涨。要实现28纳米的目标需要0.629亿美元，而5纳米需要4.76亿美元。三星称其3nmGAA的成本可能超过5亿美元。
　　台积电：2nm芯片研发的重大突破，1nm也没问题

台积电：1纳米晶片！

在最近的“2020世界半导体大会”上，台积电南京公司总经理罗镇球表示，晶片制造工艺将继续推进，摩尔定律仍然适用—3nm、2nm、1nm都不会有太大问题。

罗伊透露，将于2021年推出3nm产品，而台积电计划于2022年实现3nm产品的大规模量产。

据罗镇球透露，目前有超过140种7nm+、6nm+工艺的台积电7nm+工艺正在生产中。

根据公开资料显示，台积电南京公司成立于2016年，是台积电的全资子公司，拥有12英寸晶圆厂和设计服务中心。该公司去年的收入为40亿元，同比增长170%。

关于5nm,4nm,3nm,2nm芯片的最新信息如下：

B目前，台积电的5纳米芯片已经进入量产阶段，其良率的提升远远优于3年前的7纳米芯片；

预计24纳米芯片将在2021年正式量产；

③台积电3纳米晶片，性能再提高10-15%，功耗再降低25-30%。预计3纳米晶片产品将在2022年进行量产；

④此外，在日前举行的「台积电科技论坛」上，台积电透露最新的2nm芯片布局—已购置新竹2nm工厂和新的研发中心，投入超过8000名工程师进一步推进2nm节点研发。