LPDDR4 第四章 4.18自刷新操作 4.19 在刷新/退出刷新期间的MR读MR写 MRC命令
4.18自刷新操作
4.18.1自刷新的进入和退出
自刷新模式可以在不需要额外的刷新命令的模式下保持数据不出错不丢失。颗粒的内部都由定时器来维持自刷新。自刷新命令是在时钟的第一个上升沿采到CS高 CA0低，CA1低，CA2低，CA3高，CA4高。CA5为有效电平。在第二个时钟上升沿，CS低，CA0有效，CA1有效，CA2有效，CA3有效，CA4有效，CA5有效。自刷新模式只允许在读数据brust完成，颗粒处于idle状态的时候才可以进入。
在LPDDR4的自刷新模式当中外部的时钟输入是需要的，其他的输入是ACT的。颗粒能接受的命令如下MRR-1, CAS-2, DES, SRX, MPC, MRW-1, 和 MRW-2除了PASR Bank/Segment 的设置。在DDR4当中的描述是（When the DDR4 SDRAM has entered Self-Refresh mode, all of the external control signals, except CKE and RESET_n, are “don’t care.”）
LPDDR4 可以在标准温度范围或高温范围内进行自刷新。 当工作温度变化时，SDRAM还可以管理自刷新的功耗，在低温下较低，而在高温下较高（高温需要的刷新间隔小）。
进行正确的自刷新操作时，（VDD1，VDD2，VDDQ）电源供给的引脚都需要在一个合适的水平上。另外，在满足tESCKE后（关闭电源的自刷新过程中）VDDQ可以关闭（有关tESCKE的信息，请参见图61）。
在退出带power down的自刷新之前，VDDQ需恢复到合适的水平。自刷新需要保持的最短时间时tSR。一但自刷新模式退出的命令发送只有MRR-1, CAS-2, DES, SRX, MPC, MRW-1, 和 MRW-2除了PASR Bank/Segment 的设置允许，直到tXSR时间的满足。
在自刷新模式的使用当中，发送退出自刷新模式的命令时可能会导致内部计数丢掉一个。所以在退出的时候需要再补一个刷新。
4.18.2 自刷新时的power down的进入和退出
在自刷新模式下的时候，进入或者退出power down模式是被允许的。时序如下图。
4.18.3 在power down退出之后的命令输入
4.18.4 AC的时序
NOTE1：延迟的时间需要同时满足模式信号的delay和时钟周期，主要是因为时钟频率不同的情况下时间不同，需要满足长一点的那个。
NOTE2：这段时间内MRR-1, CAS-2, DES, MPC, MRW-1 和MRW-2 （除了PASR Bank/Segment 设置）这些命令是被允许的。
4.18.5 自刷新中止
如果启用了MR4[3]，则DRAM将在自刷新退出命令会中止正在进行的刷新，并且不会增加内部刷新计数器。 延迟时间会采用tXSR_abort而不是tXSR，在这个时间之后控制器可以发出有效命令。
tXSR_abort=tRFCpb+TBDns
在即将退出自刷新模式之前，LPDDR4需要一个额外的刷新才能进入后续的自刷新模式。不管控制刷新的MR寄存器是什么样的，都要满足这个要求。
自刷新中断仅支持12Gbit以上的颗粒容量。