AVR单片机学习--mega48_88_168熔丝位含义简述
熔丝位简要说明
| 熔丝位 |
功能 |
配置说明 |
|
| 熔丝低位 | CKDIV8 |
时钟8分频 |
0：时钟8分频 |
| 1：时钟不分频 | |||
| CKOUT |
时钟输出 |
0：系统时钟输出（PB0） |
|
| 1：不输出 | |||
| SUT1 |
选择启动时间 |
根据时钟源选择的不同会有不同的设置，详见下文。 |
|
| SUT0 | |||
| CKSEL3 |
选择时钟源 |
1111-1000：低功率晶振 |
|
| 0111-0110：满振幅晶振 | |||
| CKSEL2 |
0101-0100：低频晶振 |
||
| CKSEL1 |
0011：内部128K RC振荡器 |
||
| CKSEL0 |
0010：校准的内部RC振荡器 |
||
| 0000：外部时钟 | |||
| 熔丝高位 | RSTDISBL |
外部复用禁止 |
0：PC6为普通引脚 |
| 1：PC6为复位引脚 | |||
| DWEN |
调试线使能 |
0：使能片上调试系统 |
|
| 1：部使能片上调试系统 | |||
| SPIEN |
使能串行程序和数据下载 |
0：SPI编程使能 |
|
| 1：SPI编程未使能 | |||
| WDTON |
看门狗时间一直启用 |
0：看门狗时间一直启用 |
|
| 1：看门狗时间通过软件设置 | |||
| EESAVE |
执行芯片擦除时EEPROM内容保留 |
0：芯片擦除时EEPROM不受影响 |
|
| 1：芯片擦除时EEPROM清除 | |||
| BODLEVEL2 |
BOD触发电平 |
111：BOD禁用 |
|
| 110：Min=1.7,Typ=1.8,Max=2.0 (V) | |||
| BODLEVEL1 |
101：Min=2.5,Typ=2.7,Max=2.9 (V) |
||
| BODLEVEL0 |
100：Min=4.1,Typ=4.3,Max=4.5 (V) |
||
| mega88/168熔丝扩展位 | BOOTSZ1 |
选择boot区大小 |
00：:1024字 |
| 01:512字 | |||
| BOOTSZ0 |
10:256字 |
||
| 00：128字 | |||
| BOOTRST |
选择复位向量 |
0：Boot区复位地址 |
|
| 1：0x000 | |||
| 加密位 | BLB12 |
Boot锁定位 |
11：SPM和LPM访问没有限制 |
| BLB11 |
10：禁止SPM指令 |
||
| BLB02 |
01：禁止LPM指令 |
||
| BLB01 |
11：SPM和LPM全禁止 |
||
| LB2 |
锁定位 |
11：内存锁定不使能 |
|
| LB1 |
10、00：Flash和EEPROM编程禁止 |
一、熔丝低位
| 低熔丝位 |
位号 |
描述 |
默认值 |
| CKDIV8 |
7 |
时钟8分频 |
0 |
| CKOUT |
6 |
时钟输出 |
1 |
| SUT1 |
5 |
选择启动时间 |
1 |
| SUT0 |
4 |
0 |
|
| CKSEL3 |
3 |
选择时钟源 |
0 |
| CKSEL2 |
2 |
0 |
|
| CKSEL1 |
1 |
1 |
|
| CKSEL0 |
0 |
0 |
1、第七位CKDIV8：决定CLKPS的初始值，CKDIV8为1，CLKPS将设置为0000（分频因子1）；CKDIV8为0，CLKPS将设置为0011（分频因子8）。所选的时钟源超出所允许的最大频率，一定要编程这个熔丝位。CKDIV8设置了也可以更改CLKPS，若所选时钟源超出所允许的最大频率，通过程序配置必须选择合适的分频因子。
2、第六位CKOUT：CKOUT为0，系统时钟可以从CLKO引脚输出。这个模式用于芯片时钟驱动其他系统。芯片复位状态下时钟也会输出，CKOUT为0，I/O口（PB0）的正常操作被切换为时钟输出。当CLKO作为时钟输出时，系统时钟可以为包括RC振荡器在内的所有时钟源。如果系统时钟预分频，输出的是被分频后的系统时钟频率。
3、低六位一块写，SUT1..0：选择启动时间，CKSEL3..0：选择时钟源
时钟源选择
| 器件时钟选择 |
CKSEL3..0 |
| 低功率晶振 |
1111 - 1000 |
| 满振幅晶振 |
0111 - 0110 |
| 低频晶振 |
0101 - 0100 |
| 内部128K RC振荡器 |
0011 |
| 校准的内部RC振荡器 |
0010 |
| 外部时钟 |
0000 |
| 保留 |
0001 |
- 低功率晶振工作模式 （后边好多表格，直接抄过来，没有带截图）
| 频率范围（MHz） |
电容C1、C2推荐范围（pF） |
CKSEL3..1 |
| 0.4 - 0.9 |
-- |
100 |
| 0.9 - 3.0 |
12 - 22 |
101 |
| 3.0 - 8.0 |
12 - 22 |
110 |
| 8.0 - 16.0 |
12 - 22 |
111 |
低频率晶振时钟选项对应的启动时间
| 振荡源/电源状态 |
掉电和节电模式下的启动时间 |
复位时的额外延时（VCC=5.0V） |
CKSEL0 |
SUT1..0 |
| 陶瓷谐振器，电源快速上升 |
258CK |
14CK + 4.1ms |
0 |
00 |
| 陶瓷谐振器，电源缓慢上升 |
258CK |
14CK + 65ms |
0 |
01 |
| 陶瓷谐振器，BOD使能 |
1KCK |
14CK |
0 |
10 |
| 陶瓷谐振器，电源快速上升 |
1KCK |
14CK + 4.1ms |
0 |
11 |
| 陶瓷谐振器，电源缓慢上升 |
1KCK |
14CK + 65ms |
1 |
00 |
| 石英振荡器，BOD使能 |
16KCK |
14CK |
1 |
01 |
| 石英振荡器，电源快速上升 |
16KCK |
14CK + 4.1ms |
1 |
10 |
| 石英振荡器，电源缓慢上升 |
16KCK |
14Ck + 65ms |
1 |
11 |
- 满振幅晶振工作模式
| 频率范围（MHz） |
电容C1、C2推荐范围（pF） |
CKSEL3..1 |
| 0.4 - 20 |
12 - 22 |
011 |
满振幅晶振时钟选项对应的启动时间
| 振荡源/电源状态 |
掉电和节电模式下的启动时间 |
复位时的额外延时（VCC=5.0V） |
CKSEL0 |
SUT1..0 |
| 陶瓷谐振器，电源快速上升 |
258CK |
14CK + 4.1ms |
0 |
00 |
| 陶瓷谐振器，电源缓慢上升 |
258CK |
14CK + 65ms |
0 |
01 |
| 陶瓷谐振器，BOD使能 |
1KCK |
14CK |
0 |
10 |
| 陶瓷谐振器，电源快速上升 |
1KCK |
14CK + 4.1ms |
0 |
11 |
| 陶瓷谐振器，电源缓慢上升 |
1KCK |
14CK + 65ms |
1 |
00 |
| 石英振荡器，BOD使能 |
16KCK |
14CK |
1 |
01 |
| 石英振荡器，电源快速上升 |
16KCK |
14CK + 4.1ms |
1 |
10 |
| 石英振荡器，电源缓慢上升 |
16KCK |
14Ck + 65ms |
1 |
11 |
- 低频晶振：可以使用外部32.768kHz表用振荡器作为低频时钟源。
低频晶振时钟选项对应的启动时间
| 电源状态 |
掉电和节电模式下的启动时间 |
复位时的额外延时（VCC=5.0V） |
CKSEL0 |
SUT1..0 |
| BOD使能 |
1KCK |
14CK |
0 |
00 |
| 电源快速上升 |
1KCK |
14CK + 4.1ms |
0 |
01 |
| 电源缓慢上升 |
1KCK |
14CK + 65ms |
0 |
10 |
| 保留 |
0 |
11 |
||
| BOD使能 |
32KCK |
14CK |
1 |
00 |
| 电源快速上升 |
32KCK |
14CK + 4.1ms |
1 |
01 |
| 电源缓慢上升 |
32KCK |
14CK + 65ms |
1 |
10 |
| 保留 |
1 |
11 |
||
- 校准的内部RC振荡器工作模式
| 频率范围（MHz） |
CKSEL3..0 |
| 7.3 - 8.1 |
0010 |
校准的内部RC振荡器对应的启动时间
| 电源状态 |
掉电和节电模式下的启动时间 |
复位时的额外延时（VCC=5.0V） |
SUT1..0 |
| BOD使能 |
6CK |
14CK |
00 |
| 电源快速上升 |
6CK |
14CK + 4.1ms |
01 |
| 电源缓慢上升 |
6CK |
14CK + 65ms |
10 |
| 保留 |
11 |
||
5）128kHz内部振荡器工作模式
| 频率范围 |
CKSEL3..0 |
| 128kHz |
0011 |
128kHz内部振荡器对应的启动时间
| 电源状态 |
掉电和节电模式下的启动时间 |
复位时的额外延时（VCC=5.0V） |
SUT1..0 |
| BOD使能 |
6CK |
14CK |
00 |
| 电源快速上升 |
6CK |
14CK + 4.1ms |
01 |
| 电源缓慢上升 |
6CK |
14CK + 65ms |
10 |
| 保留 |
11 |
||
6）石英振荡器时钟频率
| 频率范围 |
CKSEL3..0 |
| 0 - 20MHz |
0000 |
外部时钟对应的启动时间
| 电源状态 |
掉电和节电模式下的启动时间 |
复位时的额外延时（VCC=5.0V） |
SUT1..0 |
| BOD使能 |
6CK |
14CK |
00 |
| 电源快速上升 |
6CK |
14CK + 4.1ms |
01 |
| 电源缓慢上升 |
6CK |
14CK + 65ms |
10 |
| 保留 |
11 |
||
二、熔丝高位
| 高熔丝位 |
位号 |
描述 |
默认值 |
| RSTDISBL |
7 |
外部复位禁用 |
1 |
| DWEN |
6 |
调试线使能 |
1 |
| SPIEN |
5 |
使能串行程序和数据下载 |
0（SPI编程使能） |
| WDTON |
4 |
看门狗时间一直启用 |
1） |
| EESAVE |
3 |
执行芯片擦除时EEPROM内容保留 |
1，EEPROM内容不保留 |
| BODLEVEL2 |
2 |
BOD触发电平 |
1 |
| BODLEVEL1 |
1 |
1 |
|
| BODLEVEL0 |
0 |
1 |
- 第七位RSTDISBL：设置PC6引脚的功能，RSTDISBL为0时，该引脚作为普通的I/O引脚，芯片内部的上电复位和欠压复位作为系统的复位源。RSTDISBL为1时，复位电路将连接到该引脚，该引脚不能作为I/O使用。
- 第六位DWEN：如果通过熔丝位DWEN使能了片上调试系统，芯片进入休眠状态时，主时钟保持运行，因此总是消耗功率。在深度休眠模式，这个功耗将会在整个功耗中占很大比重。
当debugWIRE使能DWEN熔丝位为0并且锁定位为1，目标设备中的debugWIRE系统被**。RESET端口引脚配置为上拉使能的线与（开漏）双向I/O，成为目标与仿真器间的联系通路。
一个程序DWEN使能使一些时钟系统在所有休眠模式下都运行。这将增加器件在休眠时的功耗。所以在不使用debugWIRE时，DWEN熔丝位应该禁用（为1）。
3、第五位SPIEN：设置为0时，SPI使能。
在串行编程模式下SPIEN熔丝位不可访问。
4、第四位WDTON：如果WDTON为0，看门狗一直开启，将迫使看门狗定时器进入系统复位模式。该熔丝位为0使系统复位模式位（WDE）和中断模式位（WDIE）分别锁定为1和0。为了进一步确保程序安全性，对看门狗设置的更改必须遵循定时顺序。清除WDE和更改超时配置的顺序如下：
- 在同一个指令内对WDCE和WDE写"1“。虽然WDE总是为置位状态，也必须写"1“以启动时序。
- 在接下来的4个时钟周期中必须在同一指令内对WDCE位写”0”和为WDE和WDP写合适的数据。
看门狗定时器配置
| WDTON |
WDE |
WDIE |
状态 |
超时动作 |
| 1 |
0 |
0 |
停止 |
无 |
| 1 |
0 |
1 |
中断模式 |
中断 |
| 1 |
1 |
0 |
系统复位模式 |
复位 |
| 1 |
1 |
1 |
中断和系统复位模式 |
中断，然后进入系统复位模式 |
| 0 |
x |
x |
系统复位模式 |
复位 |
- 第三位EESAVE：如果EESAVE 熔丝位为0，那么在芯片擦除时EEPRPOM 不受影响。
当向EEPROM写数据0xFF时可以跳过（高效编程），EESAVE熔丝位为0状态下不能跳过。
- 低三位BODLEVEL2..0：BOD触发电平
VBOT 可能低于某些器件的最小标称工作电压。对于有这种情形的器件，在产品测试时将做VCC = VBOT 的实验。这保证了在芯片工作电压VCC 降至微处理器已经无法正常工作之前，发生掉电复位。ATmega48V/88V/168V用BODLEVEL = 110与BODLEVEL = 101做检测， ATmega48/88/168用BODLEVEL = 101与BODLEVEL = 100做检测。
三、mega88/168的熔丝位扩展位
| 熔丝位扩展位 |
位号 |
描述 |
默认值 |
| -- |
7 |
-- |
1 |
| -- |
6 |
-- |
1 |
| -- |
5 |
-- |
1 |
| -- |
4 |
-- |
1 |
| -- |
3 |
-- |
1 |
| BOOTSZ1 |
2 |
选择boot区大小 |
0 |
| BOOTSZ0 |
1 |
选择boot区大小 |
0 |
| BOOTRST |
0 |
选择复位向量 |
1 |
- 第二位、第一位：BOOTSZ1 BOOTSZ0 选择boot区大小
| BOOTSZ1 |
BOOTSZ0 |
Boot区大小 |
页数 |
应用Flash区 |
Boot Loader Flash区 |
应用区结束地址 |
Boot复位地址（Boot Loader起始地址） |
| 1 |
1 |
128字 |
4 |
0x000 - 0xF7F |
0xF80 - 0xFFF |
0xF7F |
0xF80 |
| 1 |
0 |
256字 |
8 |
0x000 - 0xEFF |
0xF00 - 0xFFF |
0xEFF |
0xF00 |
| 0 |
1 |
512字 |
16 |
0x000 - 0xDFF |
0xE00 - 0xFFF |
0xDFF |
0xE00 |
| 0 |
0 |
1024字 |
32 |
0x000 - 0xBFF |
0xC00 - 0xFFF |
0xBFF |
0xC00 |
- 第零位BOOTRST：决定复位向量
在ATmega88 与ATmega168 中，复位向量由BOOTRST 熔丝位决定，中断向量的起始地址由MCUCR 寄存器的IVSEL决定。
ATmega88复位和中断向量位置的确定
| BOOTRST |
IVSEL |
复位地址 |
中断起始地址 |
| 1 |
0 |
0x000 |
0x001 |
| 1 |
1 |
0x000 |
Boot区复位地址 + 0x001 |
| 0 |
0 |
Boot区复位地址 |
0x001 |
| 0 |
1 |
Boot区复位地址 |
Boot区复位地址 + 0x001 |
四、加密位
| 加密位 |
位号 |
描述 |
默认值 |
| -- |
7 |
-- |
1 |
| -- |
6 |
-- |
1 |
| BLB12 |
5 |
Boot锁定位 |
1 |
| BLB11 |
4 |
Boot锁定位 |
1 |
| BLB02 |
3 |
Boot锁定位 |
1 |
| BLB01 |
2 |
Boot锁定位 |
1 |
| LB2 |
1 |
锁定位 |
1 |
| LB1 |
0 |
锁定位 |
1 |
锁定位保护模式
| 内存锁定位 |
保护类型 |
||
| LB模式 |
LB2 |
LB1 |
|
| 1 |
1 |
1 |
没有内存锁定特征使能 |
| 2 |
1 |
0 |
在并行和串行编程模式中Flash和EEPROM的进一步编程被禁止，熔丝位被锁定。 |
| 3 |
0 |
0 |
在并行和串行编程模式中Flash和EEPROM的进一步编程及验证被禁止，锁定位和熔丝位被锁定。 |
ATmega88/168的锁定位保护模式
| BLB0模式 |
BLB02 |
BLB01 |
|
| 1 |
1 |
1 |
SPM和LPM对应用区的访问没有限制 |
| 2 |
1 |
0 |
不允许SPM对应用区进行写操作 |
| 3 |
0 |
0 |
不允许SPM对应用区进行写操作，也不允许运行于boot loader区的LPM从应用区读取数据。若中断向量位于boot loader区，那么执行应用区代码时中断是禁止的。 |
| 4 |
0 |
1 |
不允许运行于boot loader区的LPM指令从应用区读取数据。若中断向量位于boot loader区，那么执行应用区代码时中断是禁止的。 |
| BLB1模式 |
BLB12 |
BLB11 |
|
| 1 |
1 |
1 |
SPM和LPM对boot loader区的访问没有限制 |
| 2 |
1 |
0 |
不允许SPM对boot loader区进行写操作 |
| 3 |
0 |
0 |
不允许SPM对boot loader区进行写操作，也不允许运行于应用区的LPM指令从boot loader区读取数据。若中断向量位于应用区，那么执行boot loader区代码时中断是禁止的。 |
| 4 |
0 |
1 |
不允许运行于应用区的LPM 指令从boot loader区读取数据。若中断向量位于应用区，那么执行boot loader区代码时中断是禁止的。 |