A5SHB，A5SHB芯片三极管规格书
A5SHB采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A5SHB是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
A5SHB具有比PW2302A更高的ID电流值，内阻比PW2302A偏低。
A5SHB基本参数：VDS = -20V， ID =-4.9A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V
A5SHB采用SOT23-3L环保材质封装形式。
A5SHB采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A5SHB是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。
A5SHB具有比PW2302A更高的ID电流值，内阻比PW2302A偏低。
A5SHB基本参数：VDS = -20V， ID =-4.9A，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS=-4.5V
A5SHB采用SOT23-3L环保材质封装形式。