eMMC Spec —— 1.eMMC前言介绍
一、前言
1、e•MMC通信基于11根信号总线。(clock, Data Strobe, 1 bit command, 8 bit data bus) and a hardware reset.
（1） 时钟频率0-200MHz
（2） 三种不同的数据总线宽度模式：1位（默认），4位和8位
（3）数据保护机制：密码、永久、开机、临时
（4）不同类型的受错误保护的读写模式：单块、多块
（5）数据删除命令：erase、trim、Sanitize
（6）突然断电时的数据保护方法：使用特定命令、省电睡眠模式
2、在本文档中，“应”或“将”表示该标准的强制性规定。 “应该”：表示建议但非强制性的规定。 “可能”表示其存在的特征并不排除合规性，实施者可以选择是否遵守。
二、术语和定义（Terms and definitions）
01、地址空间定义（Address Space Definitions）：
（1）映射的主机地址空间：e•MMC设备的区域，可由主机软件中的读取命令访问。
（2）专用供应商特定的地址空间：（e•MMC设备无法通过以下方式访问的区域）：
①从主机软件读取命令。
②固件和映射表。
（3）未映射的主机地址空间：e•MMC设备的区域，无法通过主机软件的读取命令进行访问。 它不包括私有供应商特定的地址空间。 它可能包含
旧的主机数据或主机数据的副本。
02、block：多个字节数（一般512B），基本数据传输单元
03、CID：设备ID识别寄存器
04、CLK：时钟信号
05、CMD：命令线或e•MMC总线命令
06、CRC：循环冗余校验
07、CSD：设备专用数据寄存器
08、DAT：数据线
09、Data Strobe：HS400模式下使用的返回时钟信号
10、DISCARD：这是一条性能命令，可让主机识别不需要的区域。 不需要设备采取任何措施（用于数据擦除）
11、DDR：双倍数据速率
12、DSR：驱动级寄存器
13、D-VDD：高速缓存存储的正电源电压
14、D-VSS：高速缓存的正电源接地
15、D-VDDQ：高速缓存存储的正电源电压
16、D-VSSQ：高速缓存的正电源接地
17、e•MMC：嵌入式多媒体卡（高速缓存功能是可选的，仅支持单个VDDi引脚）
18、e2•MMC：支持e•MMC缓存功能和三个VDDi引脚的e•MMC设备
19、Empty Task Queue：当在设备的任务队列中没有任务、没有准备好的或待处理的，即该状态
20、ERASE：不需要实际的物理NAND擦除操作的块擦除操作
21:、Flash：一种多次可编程非易失性存储器
21、Group：多个写块，综合擦除和写保护单元
22、HS200：在200 MHz单倍数据速率总线及1.8 V或1.2 V I / O时的高速接口时序模式高达200 MB / s
23、HS400：在200 MHz双倍数据速率总线，1.8 V或1.2 V I / O时的高速DDR接口时序模式高达400 MB / s
24、ISI：码间串扰（指某些噪声类型）
25、LOW, HIGH：定义电压等级的二进制接口状态
26、NSAC：定义时钟速率最坏的情况，取决于数据访问时间的因素
27、Non-Persistent：重新启动后，存储设备的一部分可能会丢失内容
28、MSB, LSB：最高有效位或最低有效位
29、OCR：操作条件寄存器
30、open-drain：开漏输出
31、payload：净数据
32、push-pull：推挽输出
33、QSR：队列状态寄存器
34、RCA：相对设备地址寄存器
35、Reset：CMD0 with argument of 0x00000000 or 0xF0F0F0F0, H/W reset (or CMD15)
36、ROM：只读存储器
37、RPMB：重保护的内存块
38、SSO：同步开关输出（称为某种噪声）
39、Secure Purge：该过程在可寻址位置上操作。执行该操作时，它会从未映射的主机地址空间中删除所有数据。
40、SQS：发送队列状态。 发送CMD13并SQS位为1时用作QSR的查询
41、stuff bit：填充0位以确保命令和响应的固定长度帧
42、TAAC：定义数据访问时间的时间相关因素
43、three-state driver：具有三个输出驱动器状态的驱动器级：高，低和高阻抗（这意味着该接口对接口级别没有任何影响）
44、token：代表命令的码字
45、TRIM：从写组中删除数据的命令。 执行TRIM时，该区域应读取为“ 0”。 这主要用作数据删除命令。
46、Tuning Process：主机通常执行的一种过程，用于查找数据输入信号的最佳采样点。 该设备可以提供针对HS200模式指定的调谐数据块
47、UI：单位间隔； 这是一个标称时间。 例如，UI = 5 ns（200 MHz SDR），UI = 2.5 ns（对于
200MHz DDR）
48、UTC：协和标准时间
49、VDD：表示单个电源设备（VCC = VCCQ）时的公共电源，或者与消耗电流有关时，表示VCC和VCCQ的总消耗电流
50、VSS：核心设备的正电源电压接地
51、VCC：
52、VCC：内核的正电源电压
53、VCCQ：I / O的正电源电压
54、VSSQ：I / O的正电源电压接地
55、Write Protection, Permanent:：防止写入和擦除的方案，一旦启用，将无法撤销。
56、Write Protection, Power-on：防止写入和擦除方案，一旦启用，只能在发生电源故障事件（导致设备重启）或使用复位引脚对设备进行复位时 撤销。
57、Write protection, Temporary：可以启用和禁用的防止写入和擦除方案
三、系统功能
1、e•MMC设备支持以下功能：
（1）系统电压（VCC和VCCQ的范围）
（2）增强主机和设备通信技术以提高性能：
①使用定义的boot模式时boot区域将自动传输数据流。
②对重保护的内存块（RPMB）的签名访问
③两种类型的高容量设备：小型512B扇区设备和大型4KB扇区设备。