您的位置: 首页 > 文章 > WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR WNM2030单N沟道20V0.95A功率MOSFET场效应晶体管WNM2030-3/TR 分类: 文章 • 2022-10-19 18:28:50 单N沟道,20V,0.95A,功率MOSFET 说明 WNM2030是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON) 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2030是无铅的无卤 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻,可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-723 应用 继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器 DC-DC转换器电路 电源开关 负载开关 充电