WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管

单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET

说明

WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。

特征

FAE:13723714328
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-323

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电

绝对最大额定值

热阻额定值
a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜
b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜
c脉冲宽度<380μs
d最高结温TJ = 150°C。
参数符号10 s稳态单元
漏源电压VDS 60V
栅源电压VGS±20
连续排水电流广告
TA = 25°C
ID A.
TA = 70℃
最大功耗和TA = 25°C
PD W
TA = 70℃
连续漏极电流bd
TA = 25°C
ID A.
TA = 70℃
最大功耗bd
TA = 25°C
PD W
TA = 70℃
脉冲漏极电流c
IDM 1.0 A
工作结温TJ
-55至150°C
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C
参数符号典型最大单位
结到环境的热阻a
t≤10秒
RθJA °C / W
稳定状态
结到环境的热阻b
t≤10秒
RθJA稳态
结至壳体热阻稳态RθJC

电子特性（Ta = 25oC，除非另有说明）
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压BVDSS VGS = 0 V，ID = 250uA 60 V.
零栅极电压漏极电流IDSS VDS = 60V，VGS = 0V 1 uA
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V，VGS =±20V±5 uA
关于特征
栅极阈值电压VGS（TH）VGS = VDS，ID = 250uA 0.8 1.3 2 V.
漏极 - 源极导通电阻b，c RDS（on）
VGS = 10V，ID = 0.37A 1.4 2.0Ω
VGS = 4.5V，ID = 0.2A 1.7 2.6
正向跨导gFS VDS = 15V，ID = 0.25A 0.42 S.
电容，费用
输入电容CISS VGS = 0 V，
f = 1.0 MHz，
VDS = 25V
23.37
输出电容COSS 7.33 pF
反向传输电容CRSS 5.2
总栅极电荷QG（TOT）
VGS = 10 V，
VDD = 30 V，
ID = 0.37A
1.2NC
阈值栅极电荷QG（TH）0.15
门到源充电QGS 0.21
栅极 - 漏极电荷QGD 0.12
切换特性
开启延迟时间td（ON）
VDD = 30V，ID = 0.2A，
VGEN = 10V，RG =10Ω NS
上升时间tr
关闭延迟时间td（OFF）
下降时间tf
身体二极管特征
正向电压VSD VGS = 0 V，IS = 0.3A 0.9 1.5 V.