WNM6001单N沟道 60V 0.50A 功率MOSFET晶体管WILLSEM

WNM6001
单N沟道，60V，0.50A，功率MOSFET, WILLSEM

说明

WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）
低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅，不含卤素。

特征

FAE:13723714328
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电

绝对最大额定值

热阻额定值
a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜
b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜
c脉冲宽度<380μs
d最高结温TJ = 150°C。
参数符号10 s稳态单元
漏源电压VDS 60V
栅源电压VGS±20
连续排水电流广告
TA = 25°C ID
0.50 0.44 A
TA = 70℃0.40 0.35
最大功耗和TA = 25°C PD
0.69 0.53W
TA = 70℃0.44 0.34
连续漏极电流bd
TA = 25°C ID
0.47 0.42A
TA = 70℃0.38 0.33
最大功耗bd
TA = 25°C PD
0.60 0.47W
TA = 70℃0.39 0.30
脉冲漏极电流c
IDM 1.0 A
工作结温TJ -55至150°C
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C
参数符号典型最大单位
结到环境的热阻a
t≤10秒
RθJA
140 180°C / W
稳态176 232
结到环境的热阻b
t≤10秒
RθJA
165 205
稳态198 261
结至壳体热阻稳态RθJC100120