半导体器件是构成电子电路的基本元件，它们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。

1. 本征半导体

纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体

本征半导体的两种载流子：*电子和空穴。

本征半导体载流子的浓度是环境温度的函数，其导电性能很差，且与环境温度密切相关。

2. 杂质半导体

N型半导体
*电子为多子，空穴为少子，N型半导体主要靠*电子导电，掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能也就越强。

P型半导体
空穴为多子，*电子为少子，P型半导体主要靠空穴导电，空穴浓度越高，导电能力也就越强。

3. PN结

PN结的电流方程

$i=I_s(e^{\frac {qu} {kT}}-1)=I_s(e^ {\frac {u} {U_\tau}}-1)$i=Is​(ekTqu​−1)=Is​(eUτ​u​−1)

PN结的伏安特性

PN结的反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿。

PN结的电容效应

1.势垒电容

2.扩散电容

在扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容。

由此可见，PN结的电容$C_j$Cj​是$C_b$Cb​与$C_d$Cd​之和，即 $C_j=C_b+C_d$Cj​=Cb​+Cd​。