实际二极管
实际二极管的伏安特性曲线
实际二极管伏安特性曲线
Si的死区电压为0.5V，Se锗的死区是0.7
死区电压
对于这个曲线有个描述的公式 不需要记
参数方程
在仿真中，我们发现当二极管的反向电压极大时，反向电流也会不断上升，这就是二极管的反向击穿
Tina仿真
反向击穿部分
怎么求解含二极管的电路的电信号呢？
1.解析法：
用参数方程和电路方程带进去算，梯度下降都可以，计算机中用，我们计算题不介绍
2.图解分析法：
局限明显，要画图，而且只能用于1个二极管的电路，也是计算机中用的方法，计算题不介绍。
那么我们到底到底用什么方法来计算呢？我们要介绍小信号模型。
3.小信号模型
二极管相当于1艘小船 电路相当于水 二极管导通就像从水的一岸流向另一岸去 我们通过外加合适的直流信号 提升水位 让小船可以平稳的到达河对岸 导通 即：到达二极管的Q点
外加直流 让二极管到达Q点 然后加上外部传感器微弱的交流小信号 那么信号就可以传递了
此时电流随着交流而发生微小变化
此时电流随着交流而发生微小变化，我们直接把曲线看成线性，这就是直流偏置技术。
正常的情况下，二极管被击穿后是不能用的，但是有一种二极管专门用的就是它的击穿，就是齐纳二极管(稳压二极管)
齐纳二极管
齐纳二极管的建模和折现模型相似 有电压有电阻
齐纳二极管建模
这个电阻rz刚开始很小，被击穿后会急剧增大，分很多压
曲线
使用条件