多体交叉存储器 学习笔记
提出背景
在不提高存储器速率，不扩展数据通路位数的前提下，通过存储芯片的交叉组织，提高CPU单位时间内访问的数据量。
多体并行系统
多体并行系统是指多个容量相同的存储模块，而各模块各自有独立的地址寄存器（AR），译码器和数据寄存器（DR）。
按照编址方式可分为：
- 高位多体交叉（又名顺序存储）
- 低位多体交叉
高位多体交叉
- 高位地址表示体号，低位地址为体内地址
- 一个体内的地址是连续的，只需要一个地址寄存器，也有利于存储器的扩充
- 多模块串行，性能无提升
低位多体交叉
- 低位地址表示体号，高位地址表示体内地址（这种编址方法又称模M编址，M等于模块数）
- 相邻地址位于不同存储体中，每个存储体都需要寄存器
- 多模块并行，可以实现对存储器的流水线式访问，性能提升
性能分析
设存储周期为T，总线传送周期为τ，交叉模数为m。
为了实现流水线方式存取，每通过τ时间延迟后启动下一个模块，应满足：
T = m τ
交叉存储器要求其模块数 >= m，以保证启动某模块后经过mτ时间后再次启动该模块时，它上次存取操作已经完成。
- 对于低位多体交叉，连续并行读取n个字的时间：
t1 = T + ( n - 1 )τ - 对于高位多体交叉，连续读取n个字的时间：
t2 = n T