WNM2024-3/TR功率MOSFET场效应晶体管

描述

单N沟道，20V，3.9A，功率MOSFET
WNM2024是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电
电路。 标准产品WNM2024是无铅的无卤。

特征

海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电

绝对最大额定值

参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 20
栅源电压VGS±8V
TA = 25°C 3.9 3.6
连续漏极电流a
TA =70℃
ID 3.1 2.9
一个 TA = 25℃0.8 0.7
最大功耗a TA =70℃
PD 0.5 0.4
w ^ TA = 25°C 3.6 3.3

连续漏极电流b
TA =70℃
ID 2.8 2.6
一个 TA = 25℃0.7±0.6
最大功耗b
TA =70℃
PD 0.4 0.3w ^
脉冲漏极电流c IDM 15 A.
工作结温TJ 150°C
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C